因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個(gè)人測(cè)試暫不接受委托，望見(jiàn)諒。

檢測(cè)項(xiàng)目

殘余應(yīng)力分布、熱膨脹系數(shù)、雙折射效應(yīng)、晶格畸變量、表面粗糙度應(yīng)力、薄膜附著應(yīng)力、切割誘導(dǎo)應(yīng)力、退火后殘余應(yīng)力、化學(xué)機(jī)械拋光應(yīng)力、離子注入損傷應(yīng)力、外延生長(zhǎng)匹配應(yīng)力、焊接熱失配應(yīng)力、封裝熱循環(huán)應(yīng)力、微區(qū)納米壓痕硬度、彎曲剛度系數(shù)、彈性模量各向異性、界面剪切應(yīng)力、氧化層壓縮應(yīng)力、金屬互連層拉伸應(yīng)力、TSV通孔結(jié)構(gòu)應(yīng)力、三維堆疊熱應(yīng)力、光刻膠收縮應(yīng)力、低溫鍵合界面應(yīng)力、原子層沉積內(nèi)應(yīng)力、納米線陣列彎曲度、微機(jī)電系統(tǒng)動(dòng)態(tài)應(yīng)力、異質(zhì)集成界面應(yīng)變率、量子阱結(jié)構(gòu)壓電效應(yīng)、氮化鎵外延層臨界厚度應(yīng)力

檢測(cè)范圍

4英寸硅晶圓（單拋/雙拋）、6英寸砷化鎵晶圓（半絕緣/導(dǎo)電）、8英寸SOI晶圓（BOX層厚度20-200nm）、12英寸單晶硅拋光片（<100>/<111>取向）、藍(lán)寶石襯底LED外延片（圖形化/非圖形化）、碳化硅功率器件外延片（4H-SiC/N型摻雜）、氮化鎵射頻器件外延片（HEMT結(jié)構(gòu)）、鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管晶圓（SiGeHBT）、三維封裝中介層（TSV密度5k-50k/mm）、MEMS加速度計(jì)結(jié)構(gòu)層（厚度50-200μm）、CMOS圖像傳感器芯片（BSI結(jié)構(gòu)）、DRAM存儲(chǔ)單元陣列（20nm以下制程）、3DNAND閃存堆疊結(jié)構(gòu)（64-128層）、扇出型封裝重構(gòu)晶圓（RDL線寬2-5μm）、微流控生物芯片玻璃基板（深反應(yīng)離子刻蝕）、柔性O(shè)LED顯示基板（PI厚度10-50μm）、量子點(diǎn)激光器外延片（InP基）、相變存儲(chǔ)器硫系化合物薄膜（GST合金）、磁阻隨機(jī)存儲(chǔ)器MTJ堆疊層（CoFeB/MgO）、阻變存儲(chǔ)器金屬氧化物薄膜（HfO?/TiO?）

檢測(cè)方法

1.拉曼光譜法：通過(guò)頻移量反演晶體內(nèi)部應(yīng)變狀態(tài)，適用于亞微米級(jí)空間分辨率測(cè)量2.X射線衍射法：利用布拉格角偏移計(jì)算晶格常數(shù)變化量，可區(qū)分彈性/塑性應(yīng)變分量3.激光干涉法：測(cè)量表面形變位移場(chǎng)重建全場(chǎng)應(yīng)變分布，精度達(dá)納米級(jí)4.納米壓痕法：結(jié)合Oliver-Pharr模型計(jì)算局部彈性恢復(fù)與塑性變形特征5.曲率半徑法：基于Stoney公式通過(guò)基片曲率推算薄膜平均應(yīng)力值6.光彈性法：利用雙折射效應(yīng)可視化透明介質(zhì)內(nèi)部主應(yīng)力方向7.電子背散射衍射：通過(guò)菊池帶偏移分析晶體取向變化與局部應(yīng)變8.同步輻射白光拓?fù)湫g(shù)：實(shí)現(xiàn)微米級(jí)分辨的三維殘余應(yīng)力場(chǎng)重構(gòu)9.原子力顯微鏡扭擺模式：測(cè)量納米尺度表面粘附力與接觸力學(xué)響應(yīng)10.數(shù)字圖像相關(guān)法：追蹤表面散斑位移計(jì)算全場(chǎng)應(yīng)變張量

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

ASTMF1390-2021半導(dǎo)體晶片殘余應(yīng)力的測(cè)試方法SEMIMF1530-0709硅片彎曲度的激光干涉測(cè)量規(guī)程ISO14707:2015表面化學(xué)分析-輝光放電光譜法測(cè)定薄膜厚度及成分JESD22-B113A電子器件機(jī)械沖擊試驗(yàn)中應(yīng)變測(cè)量方法GB/T32281-2015半導(dǎo)體材料力學(xué)性能納米壓痕測(cè)試方法IEC60749-39:2021半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法-芯片剪切強(qiáng)度DINEN623-3:2001先進(jìn)技術(shù)陶瓷體材性能試驗(yàn)-彎曲強(qiáng)度測(cè)定BSPDCLC/TR62258-6:2007半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品數(shù)據(jù)交換-機(jī)械特性參數(shù)ASMEB46.1-2019表面紋理測(cè)量與分析規(guī)范MIL-STD-883KMETHOD2036微電子器件密封性試驗(yàn)中的應(yīng)變監(jiān)測(cè)

檢測(cè)儀器

1.X射線衍射儀：配備微區(qū)準(zhǔn)直器（50μm光斑）和高精度測(cè)角儀（0.0001分辨率），用于晶體結(jié)構(gòu)應(yīng)變分析2.激光掃描共焦顯微鏡：集成白光干涉模塊，實(shí)現(xiàn)三維形貌與局部曲率同步測(cè)量3.納米壓痕測(cè)試系統(tǒng)：最大載荷500mN，位移分辨率0.01nm，配備高溫模塊（最高600℃）4.數(shù)字全息干涉儀：雙波長(zhǎng)激光源（532nm/633nm），可測(cè)變形量程達(dá)100μm級(jí)5.同步輻射光束線站：高能X射線束（10-100keV）配合二維探測(cè)器進(jìn)行三維應(yīng)變成像6.紅外偏振光彈系統(tǒng)：工作波長(zhǎng)1.3-1.5μm，適用于半導(dǎo)體材料內(nèi)部缺陷可視化7.原子力顯微鏡：接觸/輕敲/扭擺多模式切換，力分辨率達(dá)pN級(jí)8.飛秒激光泵浦探測(cè)系統(tǒng)：時(shí)間分辨率100fs，用于超快動(dòng)態(tài)應(yīng)變過(guò)程研究9.MEMS專用力學(xué)測(cè)試臺(tái)：集成熱循環(huán)模塊（-55~300℃）與高頻振動(dòng)激勵(lì)器10.微區(qū)拉曼光譜儀：空間分辨率300nm，配備532nm/785nm雙激光源

檢測(cè)流程

1、咨詢：提品資料(說(shuō)明書(shū)、規(guī)格書(shū)等)

2、確認(rèn)檢測(cè)用途及項(xiàng)目要求

3、填寫(xiě)檢測(cè)申請(qǐng)表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測(cè))

5、收到樣品，安排費(fèi)用后進(jìn)行樣品檢測(cè)

6、檢測(cè)出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫(xiě)報(bào)告草件，確認(rèn)信息是否無(wú)誤

7、確認(rèn)完畢后出具報(bào)告正式件

8、寄送報(bào)告原件